仅对英特尔可见 — GUID: sam1403476267805
Ixiasoft
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2.2.3.2. 混合端口Read-During-Write模式
混合端口read-during-write模式应用于简单和真双端口RAM模式,其中两个端口使用相同时钟在同一存储器地址执行读写操作(即,一个端口从该地址读取数据,另一个端口则对该地址写入数据)。
输出模式 | 存储器类型 | 说明 |
---|---|---|
"new data" | MLAB | 对不同端口的read-during-write操作会导致MLAB寄存器输出端显示数据写入MLAB存储器后,下一个时钟上升沿上的“new data”。 仅当输出被寄存时才可使用此模式。 |
"old data" | M10K, MLAB | 不同端口的read-during-write操作会导致RAM输出端显示相应地址上的“old data”值。 对于MLAB,仅当输出被寄存时才可使用此模式。 |
"don't care" | M10K, MLAB | RAM输出“don’t care”或者“unknown”值。
|
“constrained don't care" | MLAB | RAM输出“don’t care”或“unknown”值。 Intel® Quartus® Prime软件分析MLAB中读写操作之间的时序。 |
在双端口RAM模式中,如果输入寄存器具有相同时钟,则支持混合端口read-during-write操作。此操作期间的输出值为“unknown”。